ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ КРИСТАЛІВ (TlGaSe2)1-x(SnSe2)x (X=0,05; 0,1) - ІВАНЮК, Дмитро; КЕВШИН, Андрій (Фізика та освітні технології, 2025)
Розвиток сучасних технологій потребує пошуку нових перспективних матеріалів, як основного джерела розширення та покращення функціональних можливостей приладів напівпровідникової електроніки. Науковою основою такого пошуку є вивчення фізичних властивостей багатокомпонентних систем, дослідження структури та властивостей виявлених фаз.Потенціал, який відкривають шаруваті напівпровідники для вивчення ряду нових явищ у фізиці твердого тіла, далеко ще не вичерпаний, та інтерес дослідників до них постійно зростає. Властивості твердих розчинів на основі халькогенідів Талію дозволяють керувати їх фізичними параметрами та використовувати у ролі детекторів, оптичних аналізаторів, фото- та рентґеноперетворювачів, приймачів видимої та ІЧ- областей спектру.Дослідження системи TlInSe2–SnSe2 (Mozolyuk, 2011), вказують на утворення широкої області твердих розчинів в інтервалі 0–28 мол.% SnSe2. Для кристалів Tl1-xIn1-xSnxSе2 (x=0; 0.1; 0.2; 0.25) досягнуті значення параметрів нелінійно-оптичних ефектів третього порядку є максимально критичними, що дозволяє передбачити їх широке використання як ефективних матеріалів для нелінійного перетворення частот у ІЧ області спектру, що є критично для ІЧ лідарних систем. Особливим інтересом може бути їх застосування у фотонних ґратках (Myronchuk, 2013).Сімейство бінарних сполук TlX (X= S, Se, Te) та їх похідних добре відоме як напівпровідники для оптичних застосувань (Itoga, 1971). Існують також упорядковані потрійні представники TlTtX2 (Tt = Al, Ga, In) з двома кристалографічними центрами з різними координаційними середовищами, але не можна виключити існування твердих розчинів для різних халькогенідів. Для збільшення можливостей керування фізичними властивостями сполук на основі талію були синтезовані кристали (TlGaSe2)1-x(SnSe2)x (x=0,05; 0,1). У даній роботі представлені результати експериментальних досліджень оптичних властивостей даних сполук для розуміння їх потенціалу в оптоелектронних і фотонних пристроях.